Рассмотрен вопрос замены халькогенидов кадмия в структурах солнечных элементов. Исследован процесс эпитаксии селенида кадмия на слоистую подложку GaTe. Показано, что этот процесс сопрвождается реакционным взаимодействием компонент, последующей диффузией атомов галлия подложки к поверхности и формирующимися связями Ga-Se относительно объемной Ga-Te- и эпитаксионной Cd-Se-составляющих фотоэлектронного спектра.
