Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Бончик, А. Ю.
    Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжтга на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si [Текст] / А.Ю. Бончик, И.И. Ижнин, С.Г. Кияк, Г.В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 3-4.


- Анотація:

Представлены результаты исследований влияния режимов ионной имплантации и импульсного некогерентного фотонного отжига на параметры имплантированных Si слоев n-GaAs на подложках полуизолирующего GaAs.

- Є складовою частиною документа:

- Теми документа

  • УДК // Електронні напівпровідники



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського   Перейти на сайт