|
Автор: Вакив Н.М., Завербный И.Р., Заячук Д.М., Круковский С.И., Мрыхин И.О.
-
Анотація:
Разработана установка электрохимического профилирования полупроводниковых структур, в которой концентрация свободных носителей заряда определяется на основе вольт-фарадных характеристик барьера "электролит-полупроводник", а сканирование по толщине эпитаксиальных слоев осуществляется путем фотолектрохимического травления полупроводника.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Електроніка. Мікроелектроніка
| 