Проанализированы существующие математические модели полевых транзисторов Шоттки. Проведены исследования зависимости инвариантного коэффициента устойчивости для трех схем включения транзистора, выходного сопротивления схемы с общим стоком при индуктивном и активном сопротивлении, включенном на входе.
