Зведений каталог бібліотек Харкова
Бобрешов, А. М. Аналитическая модель для субмикронных НЕМТ-транзисторов с учетом короткоканальных эффектов. [Текст] / Воронежский государственный университет // Известия вузов. Электроника. — 2005. — С. 14-21.
- Анотація:
Предложена модель для субмикронных транзисторов с высокой подвижностью электронов (НЕМТ-транзисторов), в которой с эффектом насыщения дрейфовой скорости электронов проведен учет доминирующих эффектов короткого канала.
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2005.
- Теми документа
