|
Автор: Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Якущева Г.Г., Дмитриев М.Д.
-
Анотація:
Разработана МОCVD-технология осаждения нитридов IIIгруппы, позволяющая выращивать полупроводниковые гетероструктуры для фотодетекторов ультрафиолетового излучения и представлены результаты их экспериментального исследования.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Апаратура та методи радіозв' язку
-
УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи
| 