|
Автор: Пагава Т.А., Кутелия Э.Р., Майсурадзе Н.И., Эристави В.Г., Чхартишвили Л.С.
-
Анотація:
Изучено влияние зарядового состояния неравновесных вакансий на процессы, происходящие во время и термоооработки в кристаллах n-Sі. Изучались образцы n-Sі, получсенные методом зонной плавки.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Електронні напівпровідники
| 