|
Автор: Неймаш В.Б., Войтович В.В., Крайчинский А.М., Шпінар Л.І., Красько М.М., Попов В.М., Поканевич А.П., Городиський М.І., Павловський Ю.В., Цмоць В.М., Кабалдін О.М.
-
Анотація:
Досліджено вплив легування ізовалентною домішкою Pb на структурні, електричні, та рекомбінаційні параметри n-Sі. Виявлено, що легування Sі домішкою Pb має такі наслідки: виводить основну частину домішки С із оптично активного стану, зменшує щільність ростових мікродефектів.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Провідники та напівпровідники залежно від матеріалу виготовлення
|
