Приведен алгоритм расчета элементов обобщения S-матрицы отрезка экранированной микрополосковой линии (ЭМПЛ) с различной конфигурацией резистивных пленок в подложке; приведены численные результаты, подтверждающие избирательное подавление волн высших типов в ЭМПЛ.
