Зведений каталог бібліотек Харкова
Войцеховский, А. В. Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4 [Текст] / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, Н.А. Кульчицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 35-38.
- Анотація:
Экспериментальное исследованы вольт-фрадные характеристики МДП-структур n(p)-HgCdTe/SiO2/Si3N4 и n(p)-HgCdTe/анодно-окисная пленка при различных частотах и направлениях развертки напряжения.
- Є складовою частиною документа:
Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — Одесса.
- Теми документа