Гетероструктурная СВЧ-электроника на материалах АІІІ ВV и в особенности на нитридах ІІІ группы стала приорететным направлением современной полупроводниковой электроники. Широкое применение нашли малошумящие СВЧ-усилители на основе псевдо- и метоморфных полевых гетеротранзисторных структур с двумерным InGaAs-каналом.