Рассмотрена возможность генерации и усиления объемных акустических волн в составной резонаторной структуре, содержащей слой пьезоэлектрического полупроводника. Показано, что входной электрический импеданс составного акустического резонатора зависит от частоты и амплитуды внешнего электрического поля попадает в окрестность удвоенной частоты одной из собственных мод составной резонаторной структуры, то возможно возникновение параметрического резонанса, усиления и генерации акустических колебаний в структуре.
