Теоретически исследован эффект увлечения фотонами (УЭФ) в полупроводниках со сложной зоной структурой, состоящих из двух близко расположенных или из двух вырожденных ветвей, при нелинейном поглощении поляризованного излучения. Феноменологически проанализированы составляющие тока увлечения при двухфотонном поглощении света. В квантово-механических расчетах учтен вклад в ток увлечения эффекта Раби для однофотонных оптических переходов, обусловленный насыщением конечныхсостояний фотовозбужденных дырок. Теоретические результаты сопоставлены с экспериментальными данными по УЭФ в ро-Ge.
