Структури метал-ізолятор-напівпроводник було отримано шляхом нагрівання електронним пучком та випаровування Al 2 O 3 на InP.Полуфосфатні тонкі плівки завтовшки 100-150 А викоритстовувались для пасивування межі поділу InP-ізолятор. Спектри люмінісценції реєстрували на різних стадіях процесу отримання МІН-InP-структури. Топографія люмінісценції при температурі оточуючого середовища дала можливість характеризувати стан поверхні на кожній технологічній стадії. Руйнування поверхні поділу внаслідок декількох відпалів не є суттєвими до температур 350 0 С. Кількість радіаційних дефектів, що проявляються у спектрі фотолюмінісценції в інтервалі енергій 0,95 - 1,15 еВ і пов язані з комплексними домішками вакансій фосфату, суттєво зменшувалася при анодному окисленні.
