Проведен расчет линейных по тензору деформации частотных диэлектрических проницаемостей и коэффициентов фотоупругости в сверхрешетках вблизи переходов на основное состояние экситона и в области сверхрешеточных электрических полей, приложенных к электронным и дырочным квантовым ямам. В пьезоэлектрических сверхрешетках исследован механизм возниковения линейного вкладав фотоупругость, стимулированный пьезоэлектрическим полем, отличный от механизма потенциала деформации.
