Исследовано значение удельного контактного сопротивления омических контактов к сильнолегированному полупроводнику GаAS p-типа, с многослойной структурой контакта - Au/TiBx/Ti. Результаты измерений показывают, что данная омическая система конкурентоспособна и имеет свои преимущества перед другими подобными омическими структурами.
