Исследовано влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-диодов. Облучение в дозах 10-300 Р приводит к увеличению значений коэффициента выпрямления тока, напряжения холостого хода и тока короткого замыкания, и практически не влияет на спектральное распределение фотосвета.

Технология и конструирование в электронной аппаратуре [Текст] : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — Одесса.