Приведены результаты, демонстрирующие эффективность методов просвечивающей электронной микроскопии для визуализации и исследования нанослоев в полупроводниковых гетерокомпозициях, выявления упорядочения в наноструктуированных нестехеометрических фторидах. Показано, что моделирование интенсивности электронов с характеристическими потерями энергии позволяет повысить точность локального химического микроанализа в кристалличиских образцах.
