Маняхин, Ф. И.     Нестабильность распределения концентрации электрически активных центров вблизи р-n-перехода AIGaN/InGaN/GaN-светодиодных структур с квантовыми ямами при протекании прямого тока. [Текст] / Москвский государственный институт стали и сплавов. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2005. — С.84-88.