Предложена новая двумерная модель гетероструктурного полевого транзистора, учитывающая эффект лавинного умножения носителей тока, которая является комбинацией квазигидродинамической модели переноса электронов, дрейфово-диффузионной модели переноса дырок и модели переноса дырок и модели Андерсона для гетеропереходов. На основе этой модели разработана программа моделирования статических режимов активной области прибора, простирающейся от истокового контакта до стокового, включая углубление в полупроводнике.
