Проведено дослідження фотолюмінесценції та краю оптичного поглинання в напівпроводникових кристалах твердих розчинів гамма1_(GaxIn1-x)2Se3=0,1---0,4. Виявлено смуги екситонної та домішкової фотолюмінісценції, а також експоненціальну форму краю поглинання при Т=77К. Досліджено концентраційні залежності спектрального положення та півширини смуг фотолюмінісценції, а також ширини оптичної псевдощілини та енергетичної ширини краю поглинання. Вивчено вплив різних типів розупорядкування кристалічної гратки на процеси оптичного поглинання та фотолюмінісценції у твердих розчинах гамма1_(GaxIn1-x)2Se3
