Розраховано поздовжню електропровідність шаруватих кристалів в напрямку С-осі з врахуванням залежності хімічного потенціалу електронного газу від квантуючого магнітного поля для двох випадків: сталого часу релаксації і часу релаксації, пропорційного поздовжній швидкості носіїв струму. Показано, що у першому випадку відносний внесок осцилюючої частини провідності в квазікласичному наближенні в повну поздовжню провідність більший, ніж у другому випадку. Враховуючи залежності хімічного потенціалу від магнітного поля, показано, що у сильних полях повна поздовжня провідність прямує до нуля за законом В в -2 при сталому часі релаксації і за законом В в -3 при часі релаксації, пропорційному поздовжній швидкості носіїв струму (В - індукція магнітного поля).
