Досліджено процеси утворення та відпалу радіаційних дефектів (РД) у n-Si з домішками свинцю і вуглецю. ВстановленоЮ що під час опромінення зразків електронами з енергією 1 МеВ ефективність введення основних РД - комплексів вакансія - кисень (VO) - у зразках ыз свинцем на 30% менша, ныж у контрольних. Показано також, що свинець переводить значну частину атомыв вуглецю в оптично неактивний стан, тим самим виключаючи ъх ыз процесу утворення вуглецевих РД СiСi. Встановлено, що при загальній концентрації 10 в 18 см-3, яку визначено за допомогою вторинної іонної масспектрометрії, концентрація дисперсних атомів свинцю в даних кристалах не перевищує 10 в 17 см-3.

Український фізичний журнал [Текст] // Український фізичний журнал - К. : Інститут фізики НАН України. — 2005.

• УДК // Електронні напівпровідники