У температурному інтервалі 10-300 К досліджено термоелектрорушійну силу епітаксійних плівок Ga1-xMnxAs (х=0,03-0,055) товщиною 0,3-3мкм, вирощених за низькотемпературною технологією LT-MBE на напівізолюючих підкладках GaAs (100). Досліджені плівки мали концентрацію дірок (1-4)х10 в 20 см-3 з рухливістю 1-10 см2/(Вс). На основі аналізу температурних залежностей термо-ерс встановлено наявність трьох складових в її сумарній величині: дифузійної, феромагнітної та обмінної. Розглянуто модель, що передбачає неоднорідний розподіл магнітних фаз у плівці, яка складається з парамагнітної фази та феромагнітних кластерів.

Український фізичний журнал [Текст] // Український фізичний журнал - К. : Інститут фізики НАН України. — 2005.

• УДК // Електричний струм. Електрокінетика