Рассмотрены современные требования к уровню загрязнения металлическими примесями активных областей полупроводниковых приборов. Подробно описаны этапы и возможные механизмы геттерирования этих примесей, а также температурные режимы геттерирующих отжигов и профилей охлаждения.

Известия вузов. Материалы электронной техники. [Текст] // Известия вузов. Материалы электронной техники ; Министерство образования РФ - М. : МИС и С. — 2006.

• УДК // Аналіз кристалів із застосуванням рентгенівських променів ( рентгенографічний аналіз )
• УДК // Електронні напівпровідники