Полупроводниковые соединения на основе кремния, такие как кубический карбид кремния и орторомбический дисилицид железа, могут быть использованы в микро- и оптоэлектронике для изготовления светоизлучающих приборов, работающих в видимом и ближнем ИК-диапазонах.

Известия вузов. Материалы электронной техники. [Текст] // Известия вузов. Материалы электронной техники ; Министерство образования РФ - М. : МИС и С. — 2006.

• УДК // Вплив підведення та відведення тепла на обєм і структуру тіла. Фазові перетворення
• УДК // Дія світлового випромінювання
• УДК // Неорганічна хімія
• УДК // Фізика конденсованої матерії. Фізика твердого тіла