Зведений каталог бібліотек Харкова
Барабан, А. П. Электролюминисценция структур Si-SiO2, содержащих избыточный кремний. [Текст] / Санкт-Петербургский государственный университет НИИ физики им. В.А. Фока. // . — С. 3-8.
- Анотація:
Изучена электролюминисценция структур Si-SiO2, подвергнутых ионной имплантации кремния в окисных слой с энергией 150 кэВ, а также постимплантационному отжигу в атмосфере N2 при температуре 1100 град. Цельсия.
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2006.
- Теми документа
