Впервые показано, что при расчете лавинного пробоя в полевых транзисторах с субмикронной длинной затвора, в особенности в НЕМТ транзисторах, верные результаты можно получить лишь заменой обычно используемую зависимость коэффициентов ударной ионизации от амплитуды электрического поля аналогичными зависимостями от температур электронного и дырочного газов.
