Получено дисперсионное уравнение для волн пространственного заряда (ВПЗ), связывающее волновой вектор бегущей волны с частотой и параметрами полупроводникового волноводного слоя. Проведен численный анализ однонаправленного и встречного ВПЗ оптического взаимодействия направленных ТЕ- и ТМ-мод в волноводной структуре на основе n-GaAs. Выявлены интервалы толщин волноводного слоя с высокой эффективностью модового преобразования.
