Предложены методики задания пространственного распределения времени жизни носителей и ловушек для моделей КНС и КНИ МОП-транзисторов, позволяющие более корректно учитывать свойства пленки кремния при моделировании. Рассчитаны характеристики транзисторных структур с учетом пространственного распределения физических параметров модели.
