Исследовано влияние на зарядовое состояние структур Si-SiO(2) ионной имплантации аргона в окисный слой, электрических полей, приводящих к развитию процесса ударной ионизации в объеме окисного слоя, ультрафиолетового облучения с энергией квантов больше ширины запрещенной зоны SiO(2).
