|
Автор: Двуреченский А.В., Зиновьева А.Ф., Ненашев А.В., Якимов А.И., Степина Н.П., Кириенко В.В.
-
Анотація:
Рассмотрены данные по измерению магнетосопротивления Ge/Si-МОП-транзистора, содержащего слой квантовых точек в активном канале, которые демонстрируют явление основной длокады при переносе заряда в двухмерных массивах Ge/Si-квантовых точек.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // В діелектриках
-
УДК // Електронні напівпровідники
| 