Зведений каталог бібліотек Харкова
Смирнов, В. В. Структурные и морфологические свойства нитридов в системах AIN/GaN/AI(2)O(3) и GaN/AIN/AI(2)0(3) [Текст] / Московский государственный институт электронной техники. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 35-39.
- Анотація:
Приведены результаты исследований структурных и морфологических свойств гетероэпитаксиальных слоев AIN и GaN, выращенных на структурах нитрид-сапфир, в зависимости от технологических режимов рорельефа и ориентации слоя нижнего нитрида на сапфире.
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Материалы электронной техники. [Текст] // Известия вузов. Материалы электронной техники ; Министерство образования РФ - М. : МИС и С. — 2006.
- Теми документа
