Зведений каталог бібліотек Харкова
Борун, А. Ф. Напряжение в решетке Si вблизи преципитатов бета-FeSi(2) [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 39-44.
Автор: Борун А.Ф., Выговская Е.А., Пархоменко Ю.Н., Полякова Е.Г., Рязанцев В.В.
- Анотація:
По данным, полученным методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) высокого разрешения на поперечном сечении (110)Si, изучено поведение параметров решетки кремния в окресности преципитатов, сформулированных ионно-лучевым синтезом.
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Материалы электронной техники. [Текст] // Известия вузов. Материалы электронной техники ; Министерство образования РФ - М. : МИС и С. — 2006.
- Теми документа
