Войцеховский, А. В.     Фоновое ограничение фотоэлектрических параметров гетероэпитаксиальных структур Cd(x)Hd(1-x)Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. [Текст] / Томский государственный университет ИФП СО РАН // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 54-59.