Методами рентгеновской дифракции высокого разрешения и обратного резерфордовского рассеяния эксперементально показано различие в прцессах радиационного дефектообразования для слоя кремния в структуре кремний-на-изоляторе (КНИ), находящегося под воздействием электрического и упругого силовых полей со стороны встроенного диэлектрика и контрольного массивного кристалла кремния.
