Теоретически исследовано влияние напряжения смещения на магнитосопротивление магнитного туннельного перехода со ступенчатым потенциальным барьером в рамках двухзонной модели свободных электронов в ферромагнитных электродах. Показано, что зависимость магнитосопротивления магнитного туннельного перехода от напряжения смещения имеет различный вид в зависимости от типа и толщины изоляторов.

Радиофизика и электроника [Текст] : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — 490 с.

• УДК // Основні закони магнетизму
• УДК // Феромагнітні матеріали