|
Автор: Филатов П.А., Бублик В.Т., Марков А.В., Щербачев К.Д., Воронова М.И.
-
Анотація:
Исследовано влияние на величину и неоднородность распределения периода решетки монокристаллов GaAs, выращенных методом вертикально направленной кристаллизации и сильно легированных кремнием
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Аналіз кристалів із застосуванням рентгенівських променів ( рентгенографічний аналіз )
-
УДК // Електронні напівпровідники
| 