Автор: Бобрешов А.М., Дыбой А.В., Китаев Ю.И., Нестеренко Ю.И., Усков Г.К., Обрезан О.И.
-
Анотація:
Исследованы механизмы обратимых отказов малошумящих GaAs полевых транзисторов с затвором Шотки (ПТШ) в результате перегрузок СВЧ- и видеоимпульсами, действующей по входной цепи. Исследуемые эффекты связаны с зарядом глубоких уровней полуизолирующей подложки ПТШ.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи
|