Опис документа

Ап-конверсионные среды для лазеров Уф- и ВУФ-диапазонов на основе монокристалла ВаY(2)F(8) [Текст] / Институт общей физики РАН им. А.М. Прохорова // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 34-38.
Влияние поверхностной рекомбинации на измерение времени жизни неосновных носителей заряда в слитках монокристаллического кремния [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 17-20.
Время релаксации фононов Si, Ge, GaAs, InSd и HgSe [Текст] / Электростальский политехнический институт. Москва // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 59-62.
Электролюминисцентный SrTiO(3): Pr(3+), Al [Текст] / Северо-Кавказский государственный технический университет // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 52-54.
Изучение катодолюминисценции SuTiO(3): Pr(3+), Al [Текст] / Северо-Кавказский государственный технический университет // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 63-66.
Метод получения микро- и наноразмерных структур инконгруэнтным испарением сплавов [Текст] / Кабардино-Балкарский государственный университет // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 47-51.
О возможном механизме влияния изоморфных добавок Ba(Sr)Al(2,5)Fe(9,5)O(19) на коэрцитивную силу гексагональных ферритов М-типа [Текст] / Белорусский государственный технологический университет // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 39-42.
Особенности процесса токопереноса в структурах на основе нитрида галлия с одной квантовой ямой [Текст] / Ульяновский государственный университет // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 55-59.
Перспективные свойства нанокомпозита Cu/C, полученного с помощью технологии ИК-отжига [Текст] / Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева РАН // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 43-46.
Применение математического моделирования процесса выращивания методом Чохральского для эффективного производства монокристаллов кремния, предназначенных для солнечной энергетики [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 11-17.
Природа сопротивления компенсированного слоя и механизмы рекомбенации в светодиодных структурах [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 20-25.
Создание для наноэлектроники новых материалов на основе углеродного нанокристаллического материала и металлополимерных нанокомпозитов [Текст] / Московский государственный институт стали и сплавов // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 4-10.
Твердофазный синтез и электрофизические свойства растворов системы СоО-MgO [Текст] / Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 31-33.
Улучшение свойств термоэлектрических материалов Bi(2)Te(2,7)Se(0,3) путем создания экструзией оптимальной структуры [Текст] / Институт химических проблем микроэлектроники. Москва // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 67-70.
Фото- и катодолюминисценция кристаллов и пленок Y(2)O(3): Eu, полученных с использованием Н(3)ВО(3) [Текст] / Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 26-30.