Опис документа

Зведений каталог бібліотек Харкова

Опис документа

Скворцов, А. М.
Исследование характеристик структуры Si-SiO(2) с поликремниевым затвором в зависимости от режимов термического окисления [Текст] / Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики // Известия вузов. Электроника. — 2006. — С. 3-8.

- Анотація:

Проведено исследование влияния поликремниевого затвора на характер изменения встроенного заряда в термическом окисле в зависимости от режимов окисления кремния.

- Є складовою частиною документа:

Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2006.

- Теми документа

УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи
УДК // Мікроелектроніка. Інтегральні схеми
УДК // Провідники та напівпровідники залежно від матеріалу виготовлення

Наявність

Установа Кількість Документ на сайті установи

Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського Перейти на сайт