Приведены результаты численного моделирования спада фотопроводимости для одномерной задачи. Показано, что на непассивированных поверхностях монокристаллического кремния при измерении материала с объемным временем жизни неравновесных носителей больше 50 мкс необходимо учитывать влияние поверхности даже на толстых образцах.
