Зведений каталог бібліотек Харкова
Красильников, О. М. Время релаксации фононов Si, Ge, GaAs, InSd и HgSe [Текст] / Электростальский политехнический институт. Москва // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2006. — С. 59-62.
- Анотація:
Время релаксации продольных и поперечных фононов в полупроводниковых с кубической решеткой найдено из анализа экспериментальных данных по температурным зависимостям упругих постоянных и коэффициента поглощения ультразвука.
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Материалы электронной техники. [Текст] // Известия вузов. Материалы электронной техники ; Министерство образования РФ - М. : МИС и С. — 2006.
- Теми документа
