Переход полупроводниковых технологий в область глубокого " субмикрона " обеспечил возможность проектирования и изготовления сверхбольших интегральных схем ( СБИС ). Это позволяент реализовывать на одном кристалле радиоэлектронные системы, включающие в себя процессорные ядра, разнообразные контроллеры ввода/вывода, контроллеры памяти, саму память и другие компоненты. В таких случаях говорят о " системах на кристалле".
