Исследование магниторезистивных структур как энергонезависимых элементов для хранения информации началось еще в первой половине ХХ века. Но только летом 2006 г. была представлена первая в мире микросхема энергонезависимой памяти, использующая технологию MRAM. Данная статья отвечает на вопрос что из себя представляет магниторезистивная память. Также приводится подробное описание характеристик микросхемы MR2A16A- первого продукта в линейке памяти MRAM.
