|
Автор: Мурашов С.В., Яржемский В.Г., Муравьев Э.Н., Нефедов В.И., Молчанов А.В., Багатурьянц А.А.
-
Анотація:
Методом функционала электронной плотности рассчитана зонная структура полупроводника CdGeAs2 и разбавленного полупроводника Cd1-xMnxGeAs2 который при х=0,06 имеет ферромагнитную структуру.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Електронні напівпровідники
| 