Зведений каталог бібліотек Харкова
Милешко, Л. П. Механизм электрохимического формирования SiO2 из структуры SiO3N4-Si [Текст] / Таганрогский государственный радиотехнический университет // Известия вузов. Электроника. — 2007. — С. 3-10.
- Анотація:
Установлено, что мера химического сродства нитрида кремния с анионами многокомплексных электролтов повышается в ряду H2PO4>HPO4>PO4>B(OH)4>OH>NO3>NO2
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2007.
- Теми документа
