|
Автор: Барабаш Л.І., Вишневський І.М., Гроза А.А., Карпенко А.Я., Литовченко П.Г., Старчик М.І.
-
Анотація:
Наведені і обговорюються різні методи підвищення радіаційної стійкості напівпровідникових матеріалів на прикладі Si і InSb. Оптичними та електричними методами вивчені параметри Si, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Дефекти в кристалах
-
УДК // Лічильники частинок. Детектори частинок
| 