Зведений каталог бібліотек Харкова
Барабан, А. П. Зарядовое состояние центров люминесценции в структурах Si-SiO2, подвергнутых последовательной имплантации ионами кремния и углерода [Текст] / Санкт-Петербургский государственный университет // Известия вузов. Электроника. — 2007. — С. 18-22.
- Анотація:
Исследована электролюминесценция структур Si-SiO2, подвергнутых последовательной ионной имплантации кремния и углерода, а также постимплантационному отжигу
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2007.
- Теми документа