Акчурин, Р. Х.     Влияние сегрегационных явлений при формировании квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на образование дислокаций несоответствия [Текст] / Р.Х. Акчурин, В.П. Дураев, А.А. Малджы та ін. // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2007. — С. 18-22.